Samsung a vient d’annoncer avoir achevé le développement de la première puce de mémoire vive pour terminal mobile de 4 Go. Jusqu’à présent, les terminaux les plus avancés dans le domaine, tels que le Galaxy Note 3, disposaient d’un maximum de 3 Go de mémoire.
Samsung a profité de l’occasion pour passer à la LPDDR4, la variante basse consommation (low power) de la DDR4. Cette nouvelle interface délivre des performances supérieures de 50% tout en consommant 40% de moins à tension constante (1,1 V) que la meilleure LPDDR3 ou DDR3.
Le fondeur fabrique des circuits intégrés (die) de 8 Gb (soit 1 Go) avec un procédé de fabrication de l’ordre de 20 nm (entre 20 et 30 nm), puis empile quatre de ces dies dans une seule enveloppe, ce qui donne une seule puce de 4 Go.
Ces nouvelles puces commenceront à être produites à grande échelle à partir de 2014. Elles permettront de doter les futurs smartphones et tablettes tactiles haut de gamme de 4 Go de mémoire vive qui pourront ainsi gérer plus de données et d’applications.
Source : Clubic
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